GR2103高压半桥栅极驱动芯片

发布于:2025-02-10 ⋅ 阅读:(39) ⋅ 点赞:(0)

产品简介

GR2103封装和丝印
GR2103封装和丝印

GR2103是一款高性价比的高压半桥栅极驱动专用芯片,设计用于高压、高速驱动N型大功率 MOS管、IGBT管。内置欠压(UVLO)保护功能,防止功率管在过低的电压下工作,提高效率。内置防止直通功能和死区时间,防止功率管发生直通,有效保护功率器件。广泛应用于无刷电机的控制器电路中。

参考价格(20250117)
1+:¥0.458/个
4000+:¥0.318/个@4000 pcs/盘

产品特点

悬浮绝对电压+620V
高端输出与高端输入同相
低端输出与低端输入反相
VCC欠压保护(UVLO)
3.3V/5V输入逻辑兼容
封装形式:S0P8、S0IC8
工作电压 10V~20V
拉电流(IOH) 600uA
灌电流(IOL) 600uA
负载类型 IGBT
驱动通道数 2
驱动配置 半桥

产品用途
电机驱动
DC-DC 转换器

封装形式和管脚功能定义

封装形式和管脚功能定义

管脚序号 管脚定义 功能说明
1 VCC 低侧供电电压
2 HIN 高侧输入
3 LIN 低侧输入
4 GND 接地
5 LO 低侧输出
6 VS 高侧悬浮地电压
7 HO 高侧输出
8 VB 高侧悬浮绝对电压

典型应用电路

典型应用电路

C1:电源滤波电容,根据电路情况可选择1μF~100μF,尽可能的靠近芯片管脚。
R1 R2:栅极驱动电阻,阻值根据被驱动器件而定。
D3:自举二极管,应选择高反向击穿电压的肖特基二极管。
C2:自举电容,应选择陶瓷电容或钽电容,根据电路情况可选择 1μF~50μF,电容应尽可能的靠近芯片管脚。
VCC:建议接12~15V 低压电源。
HIN、LIN̅̅̅̅̅:接逻辑控制信号。
NMOS 管:依据应用选择相应耐高压的功率器件。
注:以上线路及参数仅供参考,实际的应用电路根据实测结果设定参数。

推荐工作条件

参数名称 符号 最小值 最大值 单位
高侧浮动绝对电压 VB VS+10 VS+20 V
高侧浮动偏移电压 VS -5 600 V
高侧输出电压 VHO VS VB V
低侧供电电压 VCC 10 20 V
低侧输出电压 VLO 0 VCC V
逻辑输入电压 VIN 0 VCC V
工作温度 T A 0 60

电学特性参数

(TA =25C,VCC=VB=15V,VS=GND,除特别注明外。)

项目 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
高电平输入阈值电压 VIH 2.7 V
低电平输入阈值电压 VIL 0.8 V
V CC 欠压保护跳闸电压 VCCUV+ 9.3 9.8 V
V CC 欠压保护复位电压 VCCUV- 7.3 8.8 V
V CC 欠压保护迟滞电压 VCCUVH 0.5 V
悬浮电源漏电流 ILK VB =VS =180V 0.1 5.0 μA
V BS 静态电流 IQBS VIN =0V 或 5V 200 μA
V CC 静态电流 IQCCL VIN =0V 90 600 uA
V CC 静态电流 IQCCH VIN = 5V 170 600 uA
LIN 高电平输入偏置电流 ILIN+ VLIN =0V 30 120 μA
LIN低电平输入偏置电流 ILIN- VLIN =5V 2 μA
HIN高电平输入偏置电流 IHIN+ VHIN =5V 20 120 μA
HIN低电平输入偏置电流 IHIN- VHIN =0V 2 μA
输出高电平电压 VOH IO =20mA 0.2 0.3 V
输出低电平电压 VOL IO =20mA 0.06 0.2 V
V S 静态负压 VSN -6.0 V

交流 开关 特性

(T A =25℃,VCC=VB=15V,VS=GND 除非特别指定,见测试方法)

项目 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
输出开延时 ton CL=1nF 300 ns
输出关延时 toff CL=1nF 130 ns
输出上升时间 tr CL=1nF 10 ns
输出下降时间 tf CL=1nF 10 ns
死区时间 DT 280 ns

原理框图

原理框图

逻辑真值表

输入信号 输入信号 输出 输出
HIN /LIN HO LO
0 0 0 1
0 1 0 0
1 0 0 0
1 1 1 0

逻辑输入输出波形示意图

逻辑输入输出波形示意图

时间测试方法

1 、 开关特性波形示意图
开关特性波形示意图
2 、死区时间测试
死区时间测试


网站公告

今日签到

点亮在社区的每一天
去签到