网口变压器H1102NL和RJ45之间使用LT-BA151N贴片气体放电管 ， 浪拓电子推出了尺寸较小（4.5×3.2×2.7 毫米）方形气体放电管（GDT），其具有 2kA 的浪涌能力和 ≤1.0pF 的断态电容值。LT-BA系列 GDT 旨在提供高水平的保护，可防止由雷电干扰引起的快速上升的瞬变。其低断态电容可满足高带宽应用要求，并且其电容值不随 GDT 两端的电压信号发生变化。该系列专门设计用于保护电气、多媒体、和通信设备免受过电压瞬变造成的损害。
典型应用：
●电信/数据通信市场的 G.fast、xDSL、10GbE 和 10/100/1000 Base-T 以太网端口保护；
●消费类市场的卫星同轴电缆，有线电视设备和机顶盒的保护；
●工业市场的工业自动化接口保护，如以太网、RS-485、RS-232 等；
LT-BA系列气体放电管具有以下主要优点：
►器件在极小封装中具备了高浪涌承受能力,使得其非常适合高浪涌、高密度布局要求之应用，如无线基站电源和电缆调制解调器。
►低断态电容（≤1pF）可最大程度降低插入损耗。同时，该值不会随信号电压变化而变化，不会对正常信号造成影响。此特性使其可以兼容高速、宽带宽应用要求（如 G.fast、xDSL 设备和电缆调制解调器）。
►与圆柱体 GDT 相比， LT-BA系列的方形体本体和端子结构,易于拾放, 有利于简化 PCB 制造流程。
小结：
LT-BA151N系列 GDT 是理想的解决方案，因为它不仅可以满足当今高浪涌值要求，同时保持与高速、宽带宽应用的兼容性。在保护电气、多媒体和通信设备免受过电压瞬变损害之外，由于其具有方形体本体和端子结构，使 SMT 装配拾放过程更简单化。”
气体放电管是一种浪涌保护元器件，经常被用于通讯设备防雷使用，一般是用陶瓷密闭封装，内部有两个或数个带间隙的金属电极，其中里面充以惰性气体，这就构成了气体放电管结构，有两极式和三极式两种, 两极式主要是用于线路间的保护，而三极式多了一根地线，主要是用于线与地之间的保护 。如下图是各式各样的气体放电管。
一、气体放电管工作原理
气体放电管两电极出现高压时候，一旦过高的电压超过放电管本身的击穿电压时 ,这时候管内的气体在电场作用下发生电离而形成导体，使得原有绝缘状态改变，由于接地作用使得大量的电流以及电荷立即接地泄放，最终使雷击的能量不能通过被保护的设备，当过电压消失后，管内的气体又很快恢复到原来的绝缘状态,电路恢复正常，这就是气体放电管的基本原理。
二、气体放电管保护电路
气体放电管具有泄流能力大、电容小、绝缘电阻高等特点，常与瞬态抑制二极管、齐纳二极管、 压敏电阻等器件混合使用，使其充分发挥各类器件的长处，使电路得到最优化保护
TVS管与气体放电管混联使用
压敏电阻与气体放电管配合使用
三、气体放电管的选择
气体放电管的选择要根据实际情况，比如实际工作环境的电压波动情况。一般而言，在直流电路当中，气体放电管击穿电压应为工作电压的2倍左右，但是在交流电路当中，击穿电压为工作电压的3倍左右，同时还要考虑气体放电管大小以及接地线长度，安装时候地线越短越好。
TVS瞬变电压抑制二极管
TVS（Transient Voltage Suppressors）二极管，即瞬态电压抑制器，又称雪崩击穿二极管，是采用半导体工艺制成的单个PN结或多个PN结集成的器件。TVS二极管有单向与双向之分，单向TVS二极管一般应用于直流供电电路，双向TVS二极管应用于电压交变的 电路。当应用于直流电路时，单向TVS二极管反向并联于电路中，当电路正常工作时，TVS二极管处于截止状态（高阻态），不影响电路正常工作。
当电路出现异常过电压并达到TVS二极管击穿电压时，TVS二极管迅速由高电阻状态突变为低电阻状态，泄放由异常过电压导致的瞬时过电流到地，同时把异常过电压钳制在较低的水平，从而保护后级电路免遭异常过电压的损坏。当异常过电压消失后，TVS二极管阻值又恢复为高阻态。
二、TVS二极管特性特点
• 采用半导体工艺制成，具有很高的可靠性，无损坏极限；
• 瞬态功率大，低电容、低漏电流，箝位电压易控制；
• 电压精度高，在特殊应用场合，通过工艺或参数筛选可达到更高的精度；
• 在 10/1000μs波形下瞬态功率可达200W-30000W，甚至更高；
• 封装形式多样化，贴片封装：SOD-123、SMA /DO-214AC、SMB/DO-214AA、SMC/DO-214AB、DO-218AB等，直插封装：DO-41、DO-15、DO-201、R/P-600等；
三、TVS二极管参数详解
• VRWM ：截止电压， TVS二极管的最高工作电压，可连续施加而不引起TVS二极管劣化或损坏状态下，达到的最大的直流电压或交流峰值电压。 在VRWM下，TVS二极管是不工作的，不导通。
• VC：钳位电压，施加规定波形的峰值脉冲电流IPP时，TVS二极管两端测得的峰值电压。
• VBR：击穿电压，是TVS管的最小雪崩电压。指在V-I特性曲线上，在规定的脉冲直流电流IT或接近发生雪崩的电流条件下测得TVS两端的电压。
• IR：漏电流，亦称待机电流。在规定温度和最高工作电压条件下，流过TVS二极管的最大电流，其值是在截止电压下测量的。
• C：电容值，对于同功率等级的TVS管而言，电压越低电容值就越大。在通信线路的防护中，尤其要注意TVS管的电容值。
• 封装形式：从TVS管的封装形式，可以看出其功率大小。TVS管的芯片面积直接决定其功率等级。
双向型TVS管为两个TVS管反向串联，用于交流电路。一边是雪崩击穿，相当于稳压二极管，一边是二极管导通时钳位。这种方式，当电路受外来浪涌及大电流干扰时，不仅能保护电路，泄掉干扰电流倒地，还能稳压元器件模块的电压。
变压器及cpu之间运用的双向TVS如下图：
