1. 概述
DC-DC转换器的意思是直流变直流（不同的直流电源值得转换），是一种在直流电路中将一个电压值的电能变为另一个电压值的电能装置。
DC-DC转换器一般由控制芯片、电感线圈、二极管、三极管、电容器构成。
2. 基本拓扑结构
2.1 非隔离型拓扑
| 拓扑类型 | 特点 | 典型应用场景 |
|---|---|---|
| Buck | 降压转换，效率高（>90%） | 电池供电设备 |
| Boost | 升压转换，输入电流连续 | LED驱动/光伏系统 |
| Buck-Boost | 升降压转换，极性反转 | 电池充放电系统 |
BUCK
开关管闭合时，能量一部分存储在电感中，一部分供给从输出
开关管断开时，L通过二极管形成回路为输出端提供能量
Vout=Vin*D,其中D为PWM波的占空比
BOOST
当开关管导通时，输入的电压对电感充电
当开关管断开时，电感有感应电压，输入能量和电感能量一起向输出提供能量，此时二极管导通，因此这时候输出电压肯定就比输入电压高，从而实现升压。
Vout=Vin/(1-D)
BUCK-BOOST
开关管导通，二极管D反向截止，电感器储能
开关管断开，电感存储的能量通过二极管传输给输出端
Vout=Vin*D/(1-D)
电容、电感、电阻工作状态对比表
| 元件 | 直流稳态 | 直流瞬态（开关/上电） | 关键公式 | 典型应用场景 |
|---|---|---|---|---|
| 电容 | ▶ 等效开路 • 隔断直流 • 仅存在漏电流（μA级） |
▶ 初始短路 • 电压不能突变（Vc(0⁺)=Vc(0⁻)） • 充电电流：Ic=C·dV/dt • ESR影响瞬态功耗 |
τ=RCτ=RC VC(t)=Vfinal(1−e−t/τ)VC(t)=Vfinal(1−e−t/τ) |
电源滤波、耦合电路、时序控制 |
| 电感 | ▶ 等效短路 • 仅剩导线电阻（DCR） • 磁芯可能饱和（大电流时） |
▶ 初始开路 • 电流不能突变（IL(0⁺)=IL(0⁻)） • 感生电压：VL=L·di/dt • 关断时产生电压尖峰 |
τ=L/Rτ=L/R IL(t)=Ifinal(1−e−t/τ)IL(t)=Ifinal(1−e−t/τ) |
DCDC转换、EMI滤波、储能电路 |
| 电阻 | ▶ 恒定耗能 • 欧姆定律：V=IR • 功率耗散：P=I²R |
▶ 瞬态跟随 • 无延迟响应（理想电阻） • 实际存在寄生电感/电容（高频时显现） |
Pmax=Tmax−TaRthPmax=RthTmax−Ta | 分压、限流、负载匹配 |
在DC-DC转换器拓扑中，电感和电容是实现高效能量转换的核心元件，它们的作用可系统归纳如下：
一、电感的核心作用
1. 能量临时存储与传递
Buck电路：
开关管导通时：电感储能
开关管关断时：电感通过续流二极管释放能量
关键公式：Vout=D⋅Vin（D为占空比）
Boost电路：
开关管导通时：电感充电（输入能量存储）
开关管关断时：电感电压叠加输入电压实现升压
关键公式：Vout=Vin/(1−D)
2. 电流平滑
将开关管产生的脉冲电流转换为平滑输出电流
3. 磁能转换（隔离拓扑）
在Flyback/Forward拓扑中：
作为变压器初级/次级绕组实现能量传输
存储和转移能量的同时提供电气隔离
二、电容的核心作用
1. 电压滤波与纹波抑制
输入电容：
降低电源阻抗，抑制输入电压突变
吸收开关管导通时的瞬间大电流
输出电容：
滤除开关频率纹波（100kHz-1MHz）
维持负载瞬态时的电压稳定
2. 能量缓冲
在负载突变时提供/吸收瞬时能量
例：CPU从休眠模式唤醒时，输出电容放电维持电压稳定
3. 高频噪声旁路
小容量陶瓷电容（0.1-1μF）就近放置：
为高频开关噪声提供低阻抗回路
抑制辐射EMI（特别是＞10MHz噪声）
三、不同拓扑中的典型配置
| 拓扑类型 | 电感典型值 | 电容配置要点 | 特殊要求 |
|---|---|---|---|
| Buck | 1-100μH | 低ESR陶瓷电容（22μF+0.1μF并联） | 输入电容需耐高频脉冲 |
| Boost | 10-500μH | 高压电解电容（100V/47μF） | 防止二极管反向恢复噪声 |
| Flyback | 100μH-10mH | 初级侧加X电容安规要求 | 需Y电容提供共模隔离 |
四、工程选型误区警示
电感饱和：
错误：仅按电感量选型→实际工作电流超过IsatIsat
正确：计算峰值电流 Ipk=Iout+ΔIL2
电容谐振：
错误：忽视电容自谐振频率（如10μF陶瓷电容在2MHz时呈感性）
正确：组合使用不同容值电容覆盖全频段
布局失效：
错误：电感与电容距离过远→增加回路寄生电感
正确：采用"短而宽"的走线（如1mm宽走线寄生电感约1nH/mm）
五、前沿技术趋势
集成无源器件（IPD）：
将电感和电容集成于单一封装（如TI的PowerChip™技术）
高频化设计：
GaN器件推动开关频率＞5MHz→需纳米晶电感（损耗降低40%）
智能控制：
数字控制环路动态调节LC参数（如自适应纹波补偿）
（注：实际设计需通过示波器验证关键波形：电感电流、输出电压纹波、开关节点振铃等）
2.2 隔离型拓扑
| 拓扑类型 | 特点 | 典型应用场景 |
|---|---|---|
| Flyback | 成本低，多路输出 | 适配器/小功率电源 |
| Forward | 功率密度高，瞬态响应好 | 工业电源（100-500W） |
| LLC | 软开关技术，效率>95% | 服务器电源/大功率 |
3. 工作原理
3.1 PWM控制原理
通过调节占空比（D）控制输出电压：
Buck: Vout = Vin × D
Boost: Vout = Vin / (1-D)
开关频率典型范围：100kHz-2MHz
3.2 关键工作波形
（此处建议插入Buck电路的关键波形图，包含：）
开关管栅极驱动信号
电感电流纹波（ΔIL）
输出电压纹波（ΔVout）
4. 选型关键参数
4.1 电气参数
| 参数 | 计算公式/考虑因素 | 示例值范围 |
|---|---|---|
| 输入电压范围 | 需覆盖系统最低/最高输入 | 4.5-36V |
| 输出电压精度 | ±(1-3%)（基准电压误差决定） | ±2% |
| 效率 | η=Pout/Pin×100%（需注明测试条件） | 85-97% |
| 纹波系数 | ΔVout/Vout×100% | <1% |
4.2 热设计参数
结温限制：Tj≤125℃（商用级）/150℃（工业级）
热阻θJA计算：Tj=Ta+Pd×θJA
4.3 动态特性
负载调整率：±0.5%/A（典型值）
线性调整率：±0.1%/V（典型值）
瞬态响应时间：<100μs（10%-90%负载阶跃）
5. 设计要点
5.1 电感选型
电感量计算：L=(Vin-Vout)×D/(ΔIL×fsw)
饱和电流：Isat≥1.3×Iout_max
推荐材质：铁硅铝（低成本）、铁氧体（高频）
5.2 电容选型
输入电容：CIN≥Iout×D/(fsw×ΔVin)
输出电容：COUT≥ΔIL/(8×fsw×ΔVout)
类型选择：陶瓷电容（低ESR）、电解电容（大容量）
5.3 开关管选择
MOSFET关键参数：
VDS≥1.5×Vin_max
RDS(on)与Qg的权衡
同步整流需考虑体二极管特性
6. 典型应用电路
（此处建议插入Buck电路原理图，标注：）
控制IC（如TPS5430）
功率器件选型参数
关键外围元件值
7. 测试验证
7.1 测试项目
效率曲线测试（25%/50%/75%/100%负载）
热成像测试（满负载运行30分钟后）
EMI测试（传导辐射&辐射发射）
7.2 可靠性验证
老化测试：85℃环境温度满载运行500小时
循环冲击测试：-40℃~+125℃温度循环100次
8. 选型推荐表
| 功率等级 | 推荐拓扑 | 典型IC型号 | 效率 | 封装 |
|---|---|---|---|---|
| <10W | Buck | LM2675 | 92% | TO-263 |
| 10-50W | Synchronous Buck | TPS54360 | 95% | QFN-10 |
| >100W | LLC | UCC25600 | 96% | SOIC-16 |
DC-DC转换器封装类型及特性对比
1. 插件式封装（Through-Hole）
| 封装类型 | 典型型号 | 优势 | 劣势 | 适用场景 |
|---|---|---|---|---|
| TO-220 | LM7805, LM317 | - 散热好（可加散热片） - 机械强度高 |
- 体积大 - 手工焊接困难 |
线性稳压器/中小功率DCDC |
| TO-263 (D²Pak) | LM2676 | - 散热性能优（底部金属露铜） - 支持3A+电流 |
- PCB占面积大 - 需单独散热设计 |
汽车电子/工业电源 |
2. 表面贴装封装（SMD）
| 封装类型 | 典型型号 | 优势 | 劣势 | 适用场景 |
|---|---|---|---|---|
| SOIC-8 | MC34063 | - 成本极低 - 手工焊接方便 |
- 散热差（θJA≈100℃/W） - 功率<1W |
消费电子低成本方案 |
| SOT-23 | TPS61040 | - 超小尺寸（3×1.6mm） - 适合便携设备 |
- 仅支持毫安级电流 - 无散热焊盘 |
穿戴设备/物联网节点 |
| QFN (3×3~5×5mm) | TPS5430 | - 底部散热焊盘（θJA≈40℃/W） - 高频支持（>1MHz） |
- 焊接检测困难 - 需精确钢网设计 |
手机/平板电脑主板 |
| BGA | LTM4644 | - 超高功率密度 - 多路集成 |
- 维修几乎不可行 - 需X光检测 |
服务器/FPGA供电 |
3. 模块化封装
| 封装类型 | 典型型号 | 优势 | 劣势 | 适用场景 |
|---|---|---|---|---|
| SIP (金属外壳) | V7805-2000 | - 全隔离设计 - 抗干扰强 |
- 成本高（$5+） - 效率较低（<85%） |
医疗/航空设备 |
| Power Module (集成电感) | LTM8020 | - 即插即用 - EMI性能优 |
- 价格昂贵（$10+） - 定制性差 |
快速原型开发/高端仪器 |
关键参数对比表
| 封装类型 | 典型热阻θJA（℃/W） | 最大电流能力 | 占板面积（mm²） | 焊接工艺要求 |
|---|---|---|---|---|
| TO-220 | 50-60 | 5A+ | 150+ | 波峰焊/手工 |
| QFN-16 | 30-40 | 3A | 25（4×4mm） | 回流焊+钢网 |
| SOT-23-5 | 200+ | 0.5A | 8 | 普通回流焊 |
| BGA-64 | 15-20 | 10A+ | 100 | 真空回流焊 |
选型建议
散热优先场景
优选：TO-263、QFN（带散热焊盘）
避免：SOT-23、SOIC
空间受限场景
优选：SOT-23（<50mA）、QFN（<3A）、BGA（超高集成）
避免：TO系列、SIP模块
高可靠性需求
优选：金属外壳SIP、厚铜PCB设计的QFN
避免：无散热焊盘的SMD封装
成本敏感型项目
优选：SOIC-8、DIP-8
避免：BGA、Power Module
特殊封装注意事项
QFN封装：
必须设计散热过孔（建议0.3mm孔径，4×4阵列）
钢网开口需外扩20%以保证焊锡量
BGA封装：
需采用阶梯钢网（Thick-Stencil）印刷
推荐使用OSP或ENIG表面处理PCB
Power Module：
注意与PCB的CTE（热膨胀系数）匹配
建议预留1mm边缘禁布区
行业趋势
封装小型化：
0201尺寸封装（0.6×0.3mm）开始应用于µA级DCDC
集成化：
新一代封装（如TI的HotRod™）将电感集成于QFN内
散热技术：
铜柱凸块（Copper Pillar）替代传统焊球，降低θJA 30%
（注：具体选型需结合器件Datasheet的θJA值和实际PCB散热设计）