硬件电路设计(基本元器件)

发布于:2025-07-31 ⋅ 阅读:(13) ⋅ 点赞:(0)

一、电阻

1.电阻的基本概念

电阻是导体对电流阻碍作用的物理量,符号为R,单位为欧姆(Ω)。电阻的大小由导体的材料、长度、横截面积和温度共同决定。

电阻公式

导体的电阻R可通过以下公式计算:

  • ρ:电阻率(材料特性,单位Ω·m)
  • l:导体长度(单位m)
  • A:导体横截面积(单位m²)

2.电阻的分类

2.1 固定电阻

        碳膜电阻:成本低,精度一般,用于普通电路

        金属膜电阻:精度高,温度稳定性好,适用于精密仪器。

        线绕电阻:功率大,耐高温,用于大电流场合。

2.2 可变电阻

        电位器:阻值可手动调节,用于音量控制等。

        热敏电阻:阻值随温度变化,分为PTC(正温度系数)和NTC(负温度系数)。

        光敏电阻:阻值随光照强度变化,用于光控电路。

3.电阻的连接方式

串联电阻

总阻值为各电阻之和:
R_总 = R_1 + R_2 + ... + R_n 

并联电阻

总阻值的倒数为各电阻倒数之和:
1/R_总 = 1/R_1 + 1/R_2 + ... + 1/R_n

4. 电阻的色环标识

通过色环颜色和位置表示阻值与精度,常见4环或5环标注:

  • 4环电阻:前两环为有效数字,第三环为倍乘,第四环为误差。
  • 5环电阻:前三环为有效数字,第四环为倍乘,第五环为误差。

色环颜色对应表:

对照阻值表计算阻值:

(1) 3位读数:前2位为有效数字,第3位表示10的n次幂(也可以理解为0的个数)。

精度为±5%

(2) 4位读数:前3位为有效数字,第4位表示10的n次幂(也可以理解为0的个数)。读法和3位的原理一样,精度为±1%

(3) 阻值小于10的读数:通常在两个数之间插入一个字母R,用字母R来代替小数点。

二、电容

1.电容的基本概念

电容是电子元件中存储电荷的能力,单位为法拉(F)。由两个导体及其间的绝缘介质构成,公式为:C = Q/U
其中C为电容,Q为存储电荷量,U为导体间电压。

2.电容的类型

固定电容:如陶瓷电容、电解电容(分极性)、薄膜电容。
可变电容:如调谐电容,常用于射频电路。
超级电容:高容量,用于能量存储和快速充放电场景。

3.电容原理

RC电路是由电阻(Resistor) 和电容(Capacitor) 两种基本元件组成的电路。

充电过程:

放电过程: 

4.电容的作用

主要作用就是"通交隔直,通高阻低",电容能近似通交流电,因为是开路所以直流电无法通过,频率高的电源可以近似同过,频率低的就近似无法通过。

t1前是充电,t1~t2放电;t2~t3充电,t3~t4放电,只要频率足够大,就类似突然接通正向电压,开始充电,然后放电,再接通反向电压充电,再放电。

4.1 储能作用

电容最基本的作用是存储电能,类似于一个"电子水库"。

E = ½CV²

储能公式:E为存储的能量,C为电容值,V为电压

应用场景:

  • 相机闪光灯:瞬间释放大电流
  • 电子设备备用电源
  • 脉冲电路的能量存储

4.2 滤波作用

电容能够滤除电路中的交流成分,保留直流成分,起到"电子过滤器"的作用。

Xc = 1/(2πfC)

容抗公式:Xc为容抗,f为频率,C为电容值

滤波原理:

  • 高频信号:容抗小,被电容旁路到地
  • 低频信号:容抗大,通过负载
  • 直流信号:完全通过负载

4.3 耦合作用

电容能够传递交流信号,同时隔离直流成分,实现级间耦合。

耦合电容的选择:

  • 容量要足够大,确保低频信号通过
  • 耐压要足够高,承受最大电压
  • 频率特性要好,避免信号失真

4.5 旁路作用

电容能够为交流信号提供低阻抗路径,起到"电子短路"的作用

旁路作用的应用:

  • 电源去耦:滤除电源纹波
  • 信号旁路:为高频信号提供路径
  • 噪声抑制:降低电路噪声

4.5 定时作用

利用电容的充放电特性,可以构成各种定时电路。

T = 1.1 × R × C

555定时器单稳态模式时间公式

定时应用:

  • 延时开关:控制设备延时启动
  • 脉冲发生器:产生特定频率的脉冲
  • 振荡器:构成LC振荡电路

4.6 电容作用总结

作用类型 工作原理 应用场景 关键参数
储能 存储电荷和电能 闪光灯、备用电源 容量、耐压
滤波 滤除交流成分 电源滤波、信号滤波 容量、频率特性
耦合 传递交流信号 级间耦合、音频耦合 容量、耐压
旁路 提供低阻抗路径 电源去耦、信号旁路 容量、频率特性
定时 利用充放电特性 延时电路、振荡器 容量、精度

4.7 使用注意事项

电容选择要点:

  • 耐压值:必须大于工作电压
  • 容量值:根据应用需求选择
  • 温度系数:考虑温度对容量的影响
  • 频率特性:高频应用需考虑频率特性
  • 极性:电解电容要注意正负极

常见问题:

  • 电容击穿:电压过高导致绝缘破坏
  • 容量衰减:长时间使用容量下降
  • 漏电流:绝缘不良导致漏电
  • 温度漂移:温度变化影响容量

电容最主要的特性就是:通交隔直,通高阻低;

三、电感

电感的工作原理是基于电磁感应的原理,当电流通过线圈,会产生磁场,磁通量随着电流的变化而变化。电感的主要作用是在电路中储能、滤波、阻抗匹配。电路中主要作用“通直流,阻交流”,观看视频帮助理解。

电感在电路中起什么作用的,电感的工作原理_哔哩哔哩_bilibili

1.1 电感的基本特性:

  • 能够存储磁场能量
  • 对直流电呈现短路状态
  • 对交流电呈现感抗特性
  • 电流不能突变,电压可以突变

1.2 原理:

电感电压公式:U_L=L*(di/dt)

电路电压:-U_L + I2R = E
电感的感应电动势是指当电感中的电流发生变化时,电感会在其两端产生反
向电动势。.其公式为:U_L=L*(di/dt),其中U_L是感应电动势,L是电感
量,di/dt是电流变化率。根据法拉第电磁定律,感应电动势的方向与电流变
化的方向相反。这意味着电感会抵抗电流的变化,从而影响电路中的电流流
动。

电路中U_L是负值,始终和电源电压相反。

(1) 充电:

当电压加在电感两端时,电流逐渐增加,电感存储磁能。这个过程类似于"磁能水库"的蓄水过程。

充电特点:

  • 电流逐渐增加,先快后慢
  • 电感电压逐渐减小,先快后慢
  • 时间常数 τ = L/R
  • 稳态时电流 = Us/R,电感电压 = 0
(2) 放电: 

当电源断开时,电感中存储的磁能通过电阻释放,电流逐渐减小到零。

放电特点:

  • 电流逐渐减小,先快后慢
  • 电感电压为负值,逐渐减小
  • 时间常数 τ = L/R
  • 最终电流和电压都趋于零

四、二级管

1. 二极管基础知识

1. 二极管基本概念

二极管是一种具有单向导电特性的半导体器件,由PN结组成。它只允许电流在一个方向流动,在另一个方向则阻止电流通过。

2. 二极管的基本特性
  • 正向导通:正向电压大于阈值电压时导通
  • 反向截止:反向电压时几乎不导电
  • 阈值电压:硅管约0.7V,锗管约0.3V
  • 反向击穿:反向电压过高时击穿损坏
3. 二极管的主要参数
  • 正向电压降:导通时的电压降
  • 反向击穿电压:最大反向电压
  • 正向电流:最大允许正向电流
  • 反向漏电流:反向时的微小电流

2. 二极管作用:

(1) 整流

交流电压与整型后的电压:

整型电路:

正向电压的流向:

反向电压的流向:

  • 工作原理:正负半周都整流为正向,保证不管交流电的方向,RL的电压都是上面高于下面。
  • 输出波形:都是正向的周期性波形
(2) 稳压作用

稳压二极管

  • 工作原理:利用反向击穿特性稳压
  • 稳压值:由稳压管型号决定
  • 应用:提供稳定电压参考

稳压二极管和普通二极管的区别?

二极管一般在正向电压下工作,稳压管则在反向击穿状态下工作,二者用法不同;

普通二极管的反向击穿电压一般在40V以上,高的可达几百伏至上千伏,而且在伏安特性曲线反向击穿的一段不陡,即反向击穿电压的范围较大,动态电阻也比较大。对于稳压管,当反向电压超过其工作电压Vz(亦称齐纳电压或稳定电压)时,反向电流将突然增大,而器件两端的电压基本保持恒定。对应的反向伏安特性曲线非常陡,动态电阻很小。稳压管可用作稳压器、电压基准、过压保护、电平转换器等。

 工作电路:

(3) 保护作用
  • 工作原理:防止反向电压损坏电路
  • 应用:保护敏感电子元件

五、三级管

1.三极管基础知识

1.1 三极管基本概念

三极管是一种具有放大作用的半导体器件,由三个电极组成:发射极(E)、基极(B)、集电极(C)。它能够用小电流控制大电流,实现信号放大。

1.2 三极管的基本特性

  • 电流放大:基极电流控制集电极电流
  • 电压放大:输入电压变化引起输出电压变化
  • 功率放大:小功率信号放大为大功率信号
  • 开关作用:在饱和区和截止区之间切换

1.3 三极管的主要参数

  • 电流放大系数β:Ic/Ib的比值
  • 集电极最大电流ICM:最大允许集电极电流
  • 集电极最大电压VCM:最大允许集电极电压
  • 集电极最大功耗PCM:最大允许功耗

补充:三极管有三个极:发射极、基极和集电极。当三极管工作时,基区内的电子会被激发到发射区,形成发射极电流;同时,集电区的空穴会被吸引到基区,形成集电极电流。三极管的主要作用是放大信号、电流控制,控制电压以及开关电路。 

2. 三极管的工作状态

截止状态、放大状态、饱和状态

1. 截止状态

  • 条件:VBE < 0.7V(硅管)
  • 特点:Ib ≈ 0,Ic ≈ 0
  • 应用:开关断开状态

2. 放大状态

  • 条件:VBE ≈ 0.7V,VCE > VBE
  • 特点:Ic = β×Ib,线性放大
  • 应用:信号放大

3. 饱和状态

  • 条件:VBE ≈ 0.7V,VCE ≈ 0.2V
  • 特点:Ic达到最大值,不再随Ib增加
  • 应用:开关闭合状态

使用时一般工作在饱和状态和截止

可以观看视频,视频更生动形象:

3. 三极管类型

3.1 NPN型三极管

  • 特点:电子为主要载流子(上面的PN结原理视频很详细)
  • 应用:通用放大、开关
  • 型号:2N2222、2N3904、S8050

3.2 PNP型三极管

  • 特点:空穴为主要载流子
  • 应用:互补电路、推挽输出
  • 型号:2N2907、2N3906、S8550

3.3 应用电路

作开关:

六、MOS管

1.MOS管的基本概念

MOS管是一种重要的半导体器件,全称是金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。

2.MOS管的结构

MOS管主要由以下部分组成:

(1) 源极(Source, S) - 载流子的源

(2) 漏极(Drain, D) - 载流子的漏

(3) 栅极(Gate, G) - 控制电极

(4) 衬底(Substrate, B) - 半导体基底

(5) 氧化层 - 栅极与沟道之间的绝缘层

3.MOS管的类型

3.1 NMOS管

G点输入高电平,DS导通

3.2 PMOS管

G点输入低电平,DS导通

3.3 MOS管常用于

增强型NMOS管:

截止状态:栅源电压VGS < 阈值电压Vth时,沟道未形成,漏源间电阻很大

导通状态:VGS > Vth时,栅极电场在衬底表面形成反型层(沟道),漏源间导通

增强型PMOS管:

和NMOS相反。

4.2 优点(特点)

1、输入阻抗非常高,因为MOS管栅极有绝缘膜氧化物,甚至可达上亿欧姆,所以他的输入几乎不取电流,可以用作电子开关。

2、导通电阻低,可以做到几个毫欧的电阻,极低的传导损耗。

3、开关速度快,开关损耗低,特别适应PWM输出模式。

​​​​​​​关于MOS管的一切都在这里!MOS管和三极管的区别【极速入门数模电路P15】_哔哩哔哩_bilibili

4.3 应用


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