TFT-LCD 是薄膜晶体管液晶显示器；TFT 液晶为每个像素都设有一个薄膜晶体管（TFT），
每个像素都可以通过点脉冲直接控制，因而每个节点都相对独立，并可以连续控
制，不仅提高了显示屏的反应速度，同时可以精确控制显示色阶，所以 TFT 液晶
的色彩更真，因此 TFT-LCD 也被叫做真彩液晶显示器。
8080 接口有 5 条基本的控制线和多条数据线，数据线的数量主要看液晶屏使用的是几位模
式，有 8 根、9 根、16 根、18 根四种类型。
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可以先在总线上面写入数据，然后在跳变 WR，以保证当读取的时候，总线上面的数据是稳定的。
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在 RD 跳变为低电平之后，液晶屏放置数据到总线上面
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设置 STM32F1 与 TFTLCD 模块相连接的 IO（这里我们用使用的是 STM32F1 的 FSMC）
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初始化 TFTLCD 模块（写入一系列设置值）（首先复位，然后初始化-写入一系列的值）
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将要显示的内容写到 TFTLCD 模块内（设置坐标→写 GRAM 指令→写 GRAM 来实现（这是点的实现））
FSMC 简介：灵活的静态存储控制器
FSMC模块能够与同步或异步存储器和16位PC存储器卡接口，它的主要作用是：
● 将AHB传输信号转换到适当的外部设备协议
● 满足访问外部设备的时序要求
所有的外部存储器共享控制器输出的地址、数据和控制信号，每个外部设备可以通过一个唯一
的片选信号加以区分。FSMC在任一时刻只访问一个外部设备。将32位的AHB访问请求，转换到连续的16位或8位的，对外部16位或8位器件的访问
是 STM32 系列采用一种新型的存储器扩展技术，能够连接同步、异步存储器和 16 位 PC 存储卡。STM32 通过 FSMC 可以与 SRAM、ROM、PSRAM、NOR Flash 和 NANDFlash
等存储器的引脚直接相连。
SRAM 的核心优势是速度和稳定性-CPU 缓存
ROM:只读存储器-永久性存储介质，出厂时写入数据，断电后数据不丢失
- 时钟输入：FSMC 的时钟来至时钟控制器 HCLK；使能 AHB总线时钟。
- AHB 接口：CPU 和其它 AHB 总线主设备可通过该 AHB 从设备接口访问外部静态存储
器。
- FSMC 外部设备：NOR/PSRAM 设备、NAND/PC卡设备。有不同的CS可以区分
本章实验我们使用的是 FSMC 的 NOR/PSRAM 存储器控制器部分，即把 TFTLCD 当成 SRAM 设备使用。
在图中可以看出FSMC：外部 SRAM 的控制一般有：地址线（如 A0~A25）、双向 数据线（如 D0~D15）、写信号（ NWE）、读信号（ NOE）、片选信号（NE[x]）， 如果 SRAM 支持字节控制，那么还有 UB/LB 信号。
TFTLCD 的信号包括： RS、DB0-DB15、 WR、 RD、 CS、 RST 等，TFTLCD 通过 RS 信号来决定传送的数据是数据还是命令；本质上可以理解 为一个地址信号，比如我们把 RS 接在 A0 上面，那么当 FSMC 控制器写地址 0的时候，会使得 A0 变为 0，对 TFTLCD 来说，就是写命令。
FSMC 写地址 1 的时候， A0 将会变为 1，对 TFTLCD 来说，就是写数据了。
FSMC外部存储器被划分为 4 个固定大小的存储区域（Bank），每个存储区域的大小为 256 MB，共 1GB 空间。
存储区域 1 可连接多达 4 个 NOR Flash 或 PSRAM 存储器器件。此存储区 域被划分为 4 个 NOR/PSRAM 区域，带 4 个专用片选信号。存储区域 2 和 3 用 于连接 NAND Flash 器件（每个存储区域一个器件）。存储区域 4 用于连接 PC 卡设备。对于每个存储区域，所要使用的存储器类型由用户在配置寄存器中定义。
NOR FLASH 控制器，主要是通过 FSMC_BCRx、 FSMC_BTRx 和 FSMC_BWTRx 寄存器设置（其中 x=1~4，对应 4 个区）。通过这 3 个寄存器， 可以设置 FSMC 访问外部存储器的时序参数，
STM32F1 的 FSMC 存储块 1（ Bank1）又被分为 4 个区，每个区管理 64M 字 节空间，每个区都有独立的寄存器对所连接的存储器进行配置。 Bank1 的 256M 字节空间由 28 根地址线（HADDR[27:0]）寻址。这里 HADDR 是内部 AHB 地址 总 线，其 中 HADDR[25:0] 来自外部存储器地 址 FSMC_A[25:0]，而 HADDR[26:27] 对 4 个区进行寻址
如果外部存储器的宽度为 8 位， FSMC 将使用内部的 HADDR[25:0] 地址来 作为对外部存储器的寻址地址 FSMC_A[25:0]；如果外部存储器的宽度为 16 位， FSMC 将使用内部 的 HADDR[25:1] 地址来作为对外部存储器的寻址地址 FSMC_A[24:0]，相当于右移了一位
后面我们设置 A10 地址的时候就要使用到。无论外部存储器的宽度 为 16 位还是 8 位FSMC_A[0] 都应连接到外部存储器地址 A[0]。HADDR[27:26]的设置，是不需要我们干预的，比如：当你选择使用Bank1 的第三个区，即使用 FSMC_NE3 来连接外部设备的时候，即对应了HADDR[27:26]=10，我们要做的就是配置对应第 3 区的寄存器组，来适应外部设备即可。
FSMC 的 NOR FLASH 控制器支持同步和异步突发两种访问方式（地址建立时间 (ADDSET)、数据建立时间(DATAST)和地址保持时间(ADDHLD)）
采用模式A：支持独立的读写时序控制（由于TFTLCD读写时序不一样）
模式 A 的读 操作时序如下图所示：
模式 A 的写操作时序如下图所示：
模式 A 读写时序中的 ADDSET 与 DATAST，是通过不同的寄存器设置的
FSMC 的初始化主要是配置 FSMC_BCRx， FSMC_BTRx，FSMC_BWTRx 这三个寄
存器，下面三个初始化函数包含了对这三个寄存器的配置
FSMC_NORSRAMInit()；
FSMC_NANDInit()；
FSMC_PCCARDInit()；
（1）FSMC 初始化
/**
* @brief FSMC NOR/SRAM 接口初始化结构体
* 用于配置STM32微控制器的灵活静态存储控制器(FSMC)中NOR闪存或SRAM的工作参数
*/
typedef struct
{
uint32_t FSMC_Bank; /* 选择要配置的FSMC存储区
可选值：FSMC_Bank1_NORSRAM1~4（Bank1的4个NOR/SRAM子存储区 或FSMC_Bank2_NAND（NAND存储区2）等，根据具体芯片型号而定 */
uint32_t FSMC_DataAddressMux; /* 地址/数据总线复用控制
可选值：FSMC_DataAddressMux_Disable - 地址线和数据线分离（非复用模式） FSMC_DataAddressMux_Enable - 地址线和数据线复用（适用于部分存储设备） */
uint32_t FSMC_MemoryType; /* 存储设备类型选择
可选值：
FSMC_MemoryType_SRAM - SRAM存储器
FSMC_MemoryType_PSRAM - PSRAM存储器
FSMC_MemoryType_NOR - NOR闪存 */
uint32_t FSMC_MemoryDataWidth; /* 存储器数据宽度
可选值：
FSMC_MemoryDataWidth_8b - 8位数据宽度
FSMC_MemoryDataWidth_16b - 16位数据宽度 */
uint32_t FSMC_BurstAccessMode; /* 突发访问模式使能控制（仅适用于同步类型存储器）
可选值：
FSMC_BurstAccessMode_Disable - 禁用突发访问
FSMC_BurstAccessMode_Enable - 使能突发访问 */
uint32_t FSMC_AsynchronousWait; /* 异步等待信号使能（仅在异步模式下有效）
可选值：
FSMC_AsynchronousWait_Disable - 禁用异步等待
FSMC_AsynchronousWait_Enable - 使能异步等待 */
uint32_t FSMC_WaitSignalPolarity; /* 等待信号的极性设置
可选值：
FSMC_WaitSignalPolarity_Low - 等待信号低电平有效
FSMC_WaitSignalPolarity_High - 等待信号高电平有效 */
uint32_t FSMC_WrapMode; /* 突发模式下的自动换行功能（仅适用于同步类型存储器）
可选值：
FSMC_WrapMode_Disable - 禁用自动换行
FSMC_WrapMode_Enable - 使能自动换行 */
uint32_t FSMC_WaitSignalActive; /* 等待信号有效的时序阶段
可选值：FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState - 等待状态前有xiao FSMC_WaitSignalActive_DuringWaitState - 等待状态期间有效 */
uint32_t FSMC_WriteOperation; /* 写操作使能控制
可选值：
FSMC_WriteOperation_Disable - 禁用写操作（只读模式）
FSMC_WriteOperation_Enable - 使能写操作（可读可写） */
uint32_t FSMC_WaitSignal; /* 等待信号使能控制（仅适用于同步模式）
可选值：
FSMC_WaitSignal_Disable - 禁用等待信号
FSMC_WaitSignal_Enable - 使能等待信号 */
uint32_t FSMC_ExtendedMode; /* 扩展模式使能（用于配置读写不同时序）
可选值：
FSMC_ExtendedMode_Disable - 禁用扩展模式（读写使用相同时序）
FSMC_ExtendedMode_Enable - 使能扩展模式（读写使用不同时序） */
uint32_t FSMC_WriteBurst; /* 写突发模式使能控制
可选值：
FSMC_WriteBurst_Disable - 禁用写突发
FSMC_WriteBurst_Enable - 使能写突发 */
FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef* FSMC_ReadWriteTimingStruct;
/* 读写时序结构体指针（当扩展模式禁用时使用）
指向包含地址建立时间、数据保持时间等时序参数的结构体 */
FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef* FSMC_WriteTimingStruct;
/* 写时序结构体指针（当扩展模式使能时使用）
单独配置写操作的时序参数，读操作使用上面的读写时序结构体 */
} FSMC_NORSRAMInitTypeDef;
FSMC_ReadWriteTimingStruct 和 FSMC_WriteTimingStruct：用于设置读 写时序。这两个变量都是 FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef 结构体指针类型。 这两个参数在初始化的时候分别用来初始化片选控制寄存器 FSMC_BTRx 和写操作时序控制寄存器 FSMC_BWTRx。
typedef struct
{
uint32_t FSMC_AddressSetupTime;//地址建立时间
uint32_t FSMC_AddressHoldTime;//地址保持时间
uint32_t FSMC_DataSetupTime;//数据建立时间
uint32_t FSMC_BusTurnAroundDuration;//总线恢复时间
uint32_t FSMC_CLKDivision;//时钟分频
uint32_t FSMC_DataLatency;//数据保持时间
uint32_t FSMC_AccessMode;//访问模式
}FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef;
（2）使能（开启）FSMC
第一个参数用来选择存储器 的区域，第二个参数用来使能或者失能
void FSMC_NORSRAMCmd(uint32_t FSMC_Bank, FunctionalState NewState);
void FSMC_NANDCmd(uint32_t FSMC_Bank, FunctionalState NewState);
void FSMC_PCCARDCmd(FunctionalState NewState);