1 设计输入侧电源
机械式继电器通过施加线圈电压进行驱动，而MOS FET继电器则是电流驱动。采用不同于机械式继电器的结构，在投入电流时，输入侧的LED将会发光，输出侧的PDA(光电二极管阵列)根据受光量进行发电并施加电压来驱动MOS FET继电器。因此，驱动MOS FET继电器需要向LED投入多少电流成为设计上需要解决的课题。
LED的光量会因各种原因而发生变化。电流值越大，光量也就越强。此外，光量还会因长期使用所致老化而逐渐变弱。因此，要想长期使用，则需对经年老化时的发光量加以考量。此外，如果环境温度较高，驱动MOS FET所需电压也会变高，所以需要比日常温度下更大电流。
MOS FET继电器无法投入超出额定值的电流。如果未在设计上正确加入此些要素，则会导致设备故障。
在这种输入侧的电源设计上，应该存在各种令人烦恼的问题。这是因为使用了LED，所以在设计上需要考量的事项与机械式继电器时存在差异。
2 LED老化
LED会伴随使用逐渐经年老化。输入侧的电流越高，老化速度越快，因此需设计解决此问题的输入侧电流值。此外，不同的MOS FET继电器商品所搭载的LED种类不同，且经年老化的速度也存在差异。
设计者经常出于“只要所选高电流在额定电流范围内就不会产生运行问题”的观念而在设计上选择了高电流值，这种情况下将会存在不足。输入侧的电流基本直接流入LED，从而导致LED老化且发光量下降。结果可能会造成MOS FET继电器无法正常运行，甚至还可能导致LED损坏而使MOS FET继电器无法运行。因此，要想确保正常运行且长期使用，则需在设计上采用合理光量使LED发光，并向输入侧投入合理的电流。
3 环境温度
LED的老化速度还会因使用的环境温度条件而加速。使用的环境温度越高，老化速度越快，所以应基于这方面的考量设计输入侧的电流值。
4 设计示例
引用欧姆龙官网资料：技术篇 | OMRON电子部品网站 - China
- 动作LED正向电流设计值 = IFT×α1×α2（×α3）
- IFT：触发LED 正向电流・・・以商品目录的最大额定值为基准。
- α1：LED的经年变化率・・・根据产品型号(所用LED)而异。
- α2：IFT的环境温度变化・・・基于商品目录的“触发LED正向电流-环境温度”图表。
- α3：安全系数・・・电源的差异及老化、其他。
例如：G3VM-61G3型，假设在最高85℃的环境温度下使用时，
IFT：0.2mA（最大额定值、25℃）
α1：基于10万小时后95%(减少5%)的LED预测经年变化数据进行设定⇒ 1÷0.95=1.05
（环境温度升高后将会加速变化，所以在85℃的环境温度下使用时，40℃时的数据所示变化率也会增大，IF条件10mA也显示在较低条件下使用时变化会变小。基于对该点的考量，本次设定为95%。）
α2：基于触发LED正向电流-环境温度图表所示25℃和85℃环境温度的数值设定变化率
⇒ 0.05mA÷0.02mA = 2.5
动作LED正向电流设计值 = IFT(25℃)×α1×α2（×α3）= 0.2mA×1.05×2.5（×α3）= 约0.53mA（×α3）
5 其他
5.1 输入侧浪涌电压保护
向输入端子施加反向的浪涌电压时，与输入端子反向并联二极管，不要施加3V以上的反向电压。
5.2 输出侧过电压保护回路
输出端子间出现超过绝对最大额定的电压时，负载上并联C-R缓冲器、反向二极管以限制过电压。
5.3 未使用端子
6脚型的3号端子用于MOS FET继电器的内部回路，因此外部回路上不要有任何连接。
5.4 清洗助焊剂
- 清洗助焊剂时，请确保不残留钠、氯等反应性离子。部分有机溶剂可能会与水反应产生氯化氢等腐蚀性气体，从而导致MOS FET继电器劣化；
- 用水清洗时，请避免产生残留（特别是钠、氯等反应性离子）；
- 清洗中或者清洗液附着在MOS FET继电器的状态下，请勿用刷子或手擦洗标记面。否则可能导致标记消失；
- 浸泡清洗、冲洗及蒸汽清洗均请利用溶剂的化学作用进行清洗。关于溶剂或蒸汽中的浸泡时间，请考虑对MOS FET继电器的影响，在液温50℃以下、1分钟以内进行处理；
通过超声波清洗时，请在短时间内完成。长时间的清洗会降低模具树脂与型材间的密合性。此外，推荐的基本条件如下所示。
- 频率：27～29KHz
- 超声波输出：300W以下（0.25W/cm 2 以下）
- 清洗时间：30秒以下
- 此外，请使其悬浮在溶剂中进行清洗，并避免超声波振子与印刷电路板及MOS FET继电器直接接触。